全球存储器技术的领导者三星电子有限公司宣布,它正在批量生产业界最先进的8 GB DDR4存储器和32 GB模块,这两种存储器都将基于一种新的20纳米(nm)处理技术,用于企业服务器。
凭借其新的8Gb DDR4,三星现在提供了完整的20nm DRAM系列,引领20nm DRAM效率的新纪元,其中还包括PC的20nm 4Gb DDR3和移动设备的20nm 6Gb LPDDR3。
三星使用新的8Gb DDR4芯片,于本月初开始生产32GB注册的双列直插式内存模块(RDIMM)。与DDR3服务器模块的1,866 Mbps带宽相比,新模块的每针数据传输速率高达每秒2400兆比特(Mbps),性能提高了约29%。
除了32GB模块外,新的8Gb芯片还将通过TSV技术应用硅3D技术,从而生产最大容量为128GB的服务器模块,这将鼓励进一步扩展高密度DRAM市场。
新的高密度DDR4还具有改进的纠错功能,这将提高企业服务器设计中的内存可靠性。此外,新的DDR4芯片和模块使用1.2伏,这是目前可能的最低电压。
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