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用于加速器测试芯片的高速缓存一致性互连将使用7纳米FinFET工艺技术

2017年9月14日 通过 艾米·卡尔诺斯卡斯(Aimee Kalnoskas) 发表评论

Xilinx,Arm,Cadence Design Systems,Inc.和台积电宣布合作,以台积电7nm FinFET制程技术构建首个用于加速器的高速缓存相干互连(CCIX)测试芯片,该芯片将于2018年交付。演示了CCIX在使多核高性能Arm®CPU通过相干结构与片外FPGA加速器一起工作方面的功能。

由于功率和空间的限制,加速数据中心应用程序的需求正在增长。大数据分析,搜索,机器学习,无线4G / 5G,内存数据库处理,视频分析和网络处理等应用程序受益于加速引擎,这些引擎可在各个系统组件之间无缝地移动数据。 CCIX将允许组件访问和处理数据,而不管其位于何处,而无需复杂的编程环境。

CCIX将利用现有的服务器互连基础架构,并提供更高的带宽,更低的延迟和对共享内存的缓存一致性访问。这将大大提高加速器的可用性以及数据中心平台的整体性能和效率,从而降低进入现有服务器系统的障碍,并提高加速系统的总拥有成本(TCO)。

测试芯片,在台积电上实现’其7纳米工艺将基于最新的Arm DynamIQ™技术,CMN-600一致的片上总线和基础IP。为了验证整个子系统,Cadence提供了关键的I / O和内存子系统,其中包括CCIX IP解决方案(控制器和PHY),PCIExpress®4.0 / 3.0(PCIe®-4/ 3)IP解决方案(控制器和PHY), DDR4 PHY,外围设备IP(例如I2C,SPI和QSPI)以及相关的IP驱动程序。 Cadence验证和实施工具正用于构建测试芯片。该测试芯片可提供与Xilinx的连接’基于CCIX芯片间一致性互连协议的16nm Virtex UltraScale + FPGA。

该测试芯片将于2018年第一季度初上市,预计将于2018年下半年开始供货。

提起下: 应用领域 , 连接性 , 数据中心 , 电信 标签: 臂 , 节奏设计系统 , tsmc , 赛灵思

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