e-MMC，UFS嵌入式存储器将NAND闪存和控制器芯片集成在一个封装中

东芝美国电子元件有限公司（TAEC） 通过增加新的嵌入式多媒体卡（e–MMC）和通用闪存（UFS）嵌入式内存解决方案。新的具有增强的集成控制器技术，‘Supreme+’ e–MMC（JEDEC版本5.1）和UFS（JEDEC版本2.1）产品为要求苛刻的应用程序提供了显着的读写速度改进。

与原始NAND闪存解决方案相比，e–MMC和UFS器件在单个封装中集成了NAND​​闪存和控制器芯片。这样可以节省空间，并减轻主机处理器的负担，包括坏块管理，纠错，损耗均衡和垃圾回收等关键内存管理功能的负担。结果，e–与具有标准NAND闪存接口的独立存储器IC相比，MMC和UFS器件简化了设计。

东芝提供16GB至128GB的容量’的新e-MMC设备基于该公司’的15纳米制程技术–使得芯片尺寸居世界前列’最小。顺序读取和写入速度分别为320MB /秒和180MB /秒，分别比东芝的读取和写入速度快2％和20％’以前的设备[1]。随机读写速度比以前的设备快100％和140％[1]。

当e–MMC通过400MB /秒的8位并行接口达到了理论极限，UFS存储器通过使用MIPI M-PHY接口的高速差分信令扩展了接口性能。通过支持2通道MIPI M-PHY HS-G3接口，理论上的性能为1166MB /秒。

新的UFS设备也基于东芝’的15纳米MLC NAND闪存技术，可用容量从32GB到128GB。与以前的设备相比，顺序读写速度分别为850MB /秒和180MB /秒，分别提高了约40％和16％，而随机读写性能分别提高了约120％和80％[1]。

东芝同时生产在其电子设备中部署的闪存和控制器技术–MMC和UFS存储设备。该公司还内部开发了与新UFS控制器集成的模拟M-PHY 3.0内核和数字UniPro 1.6内核。结果，该控制器与管理目标闪存的要求紧密匹配，从而确保了最佳的设备性能。