德州仪器（TI）今日宣布了其全面的超低功耗FRAM微控制器（MCU）平台，具有所有必要的硬件和软件工具，并支持开发人员减少能源预算，最小化产品尺寸并实现无电池的世界。 TI’具有EnergyTrace ++的新MSP430FR59x / 69x FRAM MCU系列™实时功率分析器和调试器的范围从32到128 KB嵌入式FRAM。这些MSP430™MCU非常适用于智能公用事业计量，可穿戴电子设备，工业和远程传感器，能量收集，家庭自动化，数据采集系统，物联网（IoT）以及许多需要超低功耗，灵活的内存选项和智能的应用模拟集成。
TI’具有嵌入式FRAM的创新性超低泄漏（ULL）专有技术为世界带来了成功’最低的系统功率，有功功率为100 uA / MHz，精确的RTC待机功率为450 nA，在-40至85摄氏度的温度范围内具有业界领先的功率性能。新的FRAM MCU包括各种智能模拟外设，例如，差分输入模数转换器（ADC）在200 ksps时仅消耗140 uA的电流，以及用于流量计量的增强型扫描接口，可在系统运行时运行处于待机状态，因此功耗降低了10倍。此外，集成的8多路LCD显示屏和256位高级加密标准（AES）加速器可降低功耗，材料清单和电路板空间。
利用EnergyTrace ++技术实时调试能源
TI’新的EnergyTrace ++技术是世界’的第一个调试系统，使开发人员能够实时分析每个外围设备低至5nA分辨率的功耗。这使工程师能够控制其功率预算并优化软件，以创造出最低能耗的产品。现在，该新技术可用于MSP430FR59x和MSP430FR69x MCU系列，以及新的低成本MSP430FR5969 LaunchPad开发套件。
凭借FRAM的独特功能超越超低功耗
除了出色的省电优势，TI’MSP430FR59x / 69x FRAM MCU系列超过开发人员’具有无与伦比的需求：
- 无限耐力。无与伦比的读/写速度意味着FRAM MCU的写-擦除周期比传统的非易失性存储解决方案多100亿倍，从而延长了产品的使用寿命。
- 灵活性。 FRAM具有使开发人员摆脱代码和数据存储器之间传统界限的独特能力。用户不再需要局限于行业标准的闪存与RAM比率，也不必为增加的RAM需求而付出高昂的代价。
- 使用方便。 FRAM简化了代码开发。由于FRAM不需要段的预擦除，并且可以在位级别进行访问，因此现在可以进行实时数据记录。无线固件更新不那么复杂，更快并且能耗更低。
TI的功能和优势’的超低功耗FRAM MCU产品组合
- FRAM是唯一可以在800uA以下以8MBps的速度写入的非易失性嵌入式存储器，比闪存快100倍以上。
- TI引脚与引脚之间的兼容性以及可扩展的32 – 128KB器件组合轻松开发’的超低功耗MSP430™FRAM MCU产品平台。
- 利用MSP430Ware ™MSP430 FRAM与闪存产品组合之间的代码和外设兼容性可简化迁移。
- 替换EEPROM，以设计安全的产品，具有更快的写入时间，更低的功耗和更高的存储器可靠性。
- 256位AES加速器支持TI’的FRAM MCU可确保数据传输的安全。
- 为开发人员提供的大量资源包括详细的迁移指南和应用说明，以简化从现有芯片到MSP430FR59x / 69x MCU的迁移。
入门
开发人员可以开始使用TI’通过广泛的培训计划提供FRAM MCU产品组合，其中在线和面对面组件均可用于超低功耗平台的所有方面。一系列深入的教程视频将帮助开发人员快速启动设计并排除TI的故障。’在设计周期的任何阶段，采用EnergyTrace ++技术和开发工具的FRAM MCU。
德州仪器
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