NAND闪存芯片将256 Gb压缩到较小的空间

SK海力士 Inc.今天介绍了该行业’基于其TLC（三层单元）阵列和专有技术的首个72层256Gb（千兆位）3D（三维）NAND闪存。该公司为72层3D NAND堆叠的单元比已经大量生产的48层3D堆叠的单元多1.5倍。单个256Gb NAND闪存芯片可以代表32GB（千兆字节）的存储。

SK海力士于2016年4月推出了36层128Gb 3D NAND芯片，自2016年11月以来一直批量生产48层256Gb 3D NAND芯片。在短短5个月的时间里，该公司开发了72层256Gb 3D NAND芯片，从而确保了行业’最好的产品组合。

相比之下，这种72层256Gb 3D NAND的技术成就与一角钱上约40亿个72层摩天大楼的难度相比。通过堆叠1.5倍的电池并利用现有的批量生产设施，该芯片还比其前身48层的生产效率提高了约30％。此外，通过将高速电路设计引入新芯片，其内部运算速度比48层3D NAND芯片快两倍，读/写性能提高了20％。

凭借这种新型的72层3D NAND芯片，其生产率提高了30％，性能提高了20％，SK海力士目前正在开发NAND闪存解决方案，例如SSD（固态硬盘）和用于智能手机等移动设备的存储。通过改进的性能，高可靠性和低功耗，该公司期待巩固其在3D NAND存储器解决方案中的业务能力。

“随着这个行业的介绍’SK Hynix是生产率最高的3D NAND，将在今年下半年批量生产256Gb 3D NAND，以向全球商业客户提供，以优化存储解决方案”营销部主管金钟浩（Jong Ho Kim）表示。“该公司计划将产品的使用范围扩大到SSD和智能手机等移动小工具，以进一步改善面向DRAM的业务结构” he added.

在第四次工业革命中，跨AI（人工智能），大数据和云存储的3D NAND需求将迅速增长。根据Gartner的数据，今年NAND闪存市场收入预计将达到465亿美元，到2021年将持续增长，达到565亿美元。