这 硅一体化倡议 Compact Model联盟已发布开放式界面，SI2标准，C语言应用程序编程接口，支持Spice Complace Model Extensions。
OMI允许电路设计人员模拟和分析如自我加热和老化的这种重要的物理效果，并进行扩展设计优化。它基于TMI2，TMC模型接口，2014年通过TSMC捐赠给SI2。OMI支持四个CMC’s 13 SPICE models:
- BSIM（伯克利短通道IGFET型号）-BULK，散装MOSFET模型，与所有操作区域中的测量数据相比提供出色的准确性。
- BSIM-CMG（常见的多栅极），是普通多栅FET类的紧凑模型。今天全部’S的重要多门（MG）晶体管行为由该模型捕获。
- Hisim2（广岛大学Starc IGFET模型），表面潜在模型的早期采用者之一与传统的VT提取基础的模型相比
- BSIM-SOI（绝缘体上硅 - 绝缘体）在BSIM框架顶部配制的模型，该模型在逻辑和RF应用中使用的硅盘内装置中精确地捕获复杂物理学。
CMC OMI工作组将继续添加其他模型。
CMC成员包括半导体制造商，电路设计人员和仿真工具提供商。他们汇集资源以资源为基金和开发Spice标准小型型号和标准界面，以促进IC设计互操作性。作为公开可用的SI2标准API，可以在不充电的情况下下载OMI。 CMC成员可以访问QA测试台，以证明其软件工具中的OMI实现。
UPI的公共版本，包括文档，API描述和示例代码 http://www.si2.org/cmc
“OMI允许随着时间的推移建模，这被称为老化，并提供过程变化的统计建模，“Si2总裁John Ellis说。“对于最先进的设计，OMI通过封装复杂结构的建模布局依赖性努力来增加SPICE灵活性。可以添加香料型号顶部的新功能，例如安全的操作区检查。”
Colin Shaw，Silvaco和OMI工作组椅子的高级应用工程师，陈述，“创建行业标准的努力涉及贡献者，TSMC，以及来自CMC成员公司的40多个人。这种新的OMI发布扩展了TMI2的原始能力来支持其他关键模型，并且准备简化设计师的优化能力，因为修改设备参数的能力是由铸造和仿真工具提供商标准化的。”
Peter Lee博士，Micron Memory Japan和CMC椅主任表示，“由于OMI被铸造厂和集成设备制造商采用，其益处和成本效益将增长。 CMC成员包括致力于将其工作组与OMI保持一致的领先开发人员。通过这些努力提高行业标准化，成员有一个明确，竞争优势，获得代码和额外资源。”
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