先进存储解决方案的开发商集成硅解决方案宣布已开始采用ECC对其新型1 Gb（1Gbit）DDR3 DRAM的生产单元进行采样。新产品具有嵌入式纠错码（ECC），可实时检测和纠正误码。它不需要监视，也不需要干预，但与标准DDR3向后兼容。
1Gbit DDR3器件是IS46TR16640ED，其组织为64Mbx16，封装在96球的BGA中，工作于1.5V。ISSI还提供IS46TR81280ED，其组织为128 Mbx8，封装在78球的BGA，两种版本都提供三种汽车温度等级选项：A1，可在-40°至95°C的温度范围内工作； A2，可在-40°至105°C的温度范围内运行；和A3，其工作温度范围为-40°C至125°C。这增加了DDR3 SDRAM产品系列和ISSI’广泛的DRAM选择。就像ISSI正在处理其其他DRAM产品一样，ISSI能够根据汽车，工业和其他高可靠性市场领域客户应用程序的要求，提供长期的生命周期产品支持。
除了具有ECC的新型DDR3外，ISSI还提供广泛的SDR，移动SDR / DDR，DDR，DDR2和DDR3产品系列，以及全面的异步和同步SRAM系列，密度从64 Kb到72 Mb，256 Kb至256 Mb汽车级闪存产品和模拟产品&混合信号产品。而且ISSI在其产品组合中支持一系列已知的优质管芯器件。
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